سامسونج تطرح جيلًا جديدًا من ذاكرة الوصول العشوائي

أعلنت شركةُ سامسونج (Samsung) عن تطوير رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة، والتي أطلقت عليها تسمية «دي دي آر5» (DDR5).

وتصفُ الشركةُ الكورية هذه الرقائق الجديدة بأنَّها «قفزة تقنية» للصناعة.

وتجلب الرقائق الجديدة المزيدَ من الأداء وكفاءة الطاقة إلى صناعة الرقاقات، على الرغم من أنَّها تحتاجُ إلى عمليَّة تصنيع تعتمدُ على تقنية «إي يو في» (EUV) باهظة الثمن وهي تقنيةٌ مهمةٌ لما تعتقدُ الشركة أنَّه سيكون الاختراق القادم «للحوسبة من الجيل التالي».

وأكملت سامسونج بالتعاون مع شركة «إيه إم دي» (AMD) تطويرَ رقائق «دي رام» (DRAM) بسعة 16 جيجابت، والتي ستستخدم «أوَّل تقنية معالجة من فئة 12 نانومترًا في الصناعة».

وساعدت «إيه إم دي» في تقييم المنتج للتوافق مع وحدات المعالجة المركزية، القائمة على تقنية هندسة الرقاقات الخاصة بها، والمعروفة باسم زين (Zen) وبالاستفادة من أحدث معايير دي دي آر5، توضح سامسونج أنَّ الرقائق الجديدة ستصل لسرعات 7.2 جيجابت في الثانية، ما سيسمح لوحدات ذاكرة الوصولِ العشوائي الجديدة بمعالجة فيلمَين بدقة فائقة، بحجم 30 جيجابايت في ثانية واحدة فقط.

كما وقعت شركة نوكيا الفنلندية للاتصالات والشبكات الحيوية، اتفاقا جديدا لبراءات اختراع الجيل الخامس مع شركة سامسونج الإلكترونية العملاقة الكورية الجنوبية.

وبموجب الاتفاق، ستدفع سامسونج رسوم حقوق امتياز إلى نوكيا لفترة تمتد عدة سنوات، اعتبارا من الأول من يناير عام 2023.وأشارت نوكيا إلى أن الاتفاق يتماشى مع الافتراضات التي كشفت عنها في التوقعات بعيدة المدى لوحدة نوكيا تكنولوجيز التابعة لها، والصادرة في 20 أكتوبر الماضي.

يأتي أحدث اتفاق عقب انتهاء فترة سريان الاتفاق السابق بنهاية عام 2022، والذي يغطي الابتكارات الرئيسية لنوكيا في تكنولوجيا اتصالات الجيل الخامس والتكنولوجيات الأخرى.

ولا تزال شروط الاتفاق سرية بين الطرفين.